本篇文章给大家谈谈mos管雪崩是什么意思，以及mos的雪崩计算方式对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、mos管不振
• 2、什么是mos管的雪崩电流
• 3、MOS管之间是否可以相互代替,看什么参数?帮我解释下耐压、最大电流...
• 4、MOS管的参数怎么读懂
• 5、半导体MOS管雪崩测试过程中,提示preshort与postshort的区别
• 6、mos管的最大持续电流是如何确定的?

mos管不振

题主是否想询问“mos管不振怎么回事”？电压失效。雪崩失效（电压失效）也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。

有可能会造成反向回路，尤其是马达电路驱动，对于上电和下电，都需要认真评估电压和电流的上升及下降速率，否则在上电和下电过程中，都容易造成MOS管损伤或失效。如果只是简单的更换MOS管，可能会失去一次改进设计的机会。

如果开关电源不起振证明是你的变压器有问题或者副边输出端有问题。

是由于反馈电路设计不当或者过分放大引起的。MOS管是一种场效应管，其内部结构与普通的晶体管不同，内部具有栅极、漏极和源极三个电极。

先检测大电容上有300V电压没，如果有电压且3842&MOS管也更新后还是无输出再检测开关管S极对地有个功率电阻的阻值，一般MOS管烧毁的话这个电阻必定损坏，正常在零点几欧母，还有要检测启动电阻有无开路。

有可能是测试问题，看看探头地线是不是太长了。2 、增大rg和外接cgs电容，不过会增大损耗，还有。如果你gs间加了tvs来钳位还能测到很高的vgs电压，那很可能测错了。

什么是mos管的雪崩电流

1、场效应管的雪崩电流是指功率MOS管开通时，造成功率MOSFET损坏的电流 场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。

2、MOSFET的雪崩特性是在外加电压大于V(BR)DSS时MOSFET也不会遭到破坏的最大漏源间的能量，用漏极电流的值来表示。当负载为电感时．在管子截止时加在漏源间的冲击电压常常会大+V(BR)DSS。

3、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

4、雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。

5、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

6、什么是mos管的雪崩电流 我来答 分享 微信扫一扫 网络繁忙请稍后重试 新浪微博 QQ空间 举报 可选中1个或多个下面的关键词，搜索相关资料。也可直接点“搜索资料”搜索整个问题。

MOS管之间是否可以相互代替,看什么参数?帮我解释下耐压、最大电流...

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

2、两者数据相差不大，如果机器的最大电流不超过75A的话可以替换。可以混用。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管(简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

3、②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。

MOS管的参数怎么读懂

将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。

导通电阻是温度敏感参数，在25 C和150 C间，它的值近似变为两倍。RDS(ON) 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。

耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

MOS管主要参数如下：开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOS管，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOS管的VT值降到2～3V。

半导体MOS管雪崩测试过程中,提示preshort与postshort的区别

雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率，使器件的温度升高，而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。

导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。

主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

mos管的最大持续电流是如何确定的?

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。

参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整！但一般不这样做。

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