本篇文章给大家谈谈硅为什么外延，以及硅外延的基本原理对应的知识点，希望对各位有所帮助，不要忘了收藏本站喔。

本文目录一览：

• 1、半导体制造技术有点不明白:为什么要做外延层?离子注入掺杂时,比如说...
• 2、外延生长为什么是单晶。
• 3、外延生长的过程
• 4、碳化硅外延晶片的概念是什么?
• 5、硅外延和碳化硅外延的区别
• 6、晶体生长技术的外延

半导体制造技术有点不明白:为什么要做外延层?离子注入掺杂时,比如说...

1、。外延生长的单晶硅质量比bulk silicon高，生产出来的transistor质量高，2。发射的是硼离子， 掺杂完硅片接地电子就补充进来了，这样就电中性了。

2、在半导体工艺技术中，离子注入具有高精度的剂量均匀性和重复性，可以获得理想的掺杂浓度和集成度，使电路的集成、速度、成品率和寿命大为提高，成本及功耗降低。

3、半导体离子注入技术是一种材料表面改性高新技术，在半导体材料掺杂，金属、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上获得了极为广泛的应用，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的手段。

4、半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）。

5、克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。

外延生长为什么是单晶。

低压外延生长是指在一定的条件下，经过仔细制备的单晶衬底上沿着原来的结晶方向生长的一层导电类型，电阻率，厚度和晶格结构，完整性等都符合要求的新单晶层的工业过程。

外延片是指经过MOCVD加工的片子。 外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。

此可使CMOS中直立式pnp双载子寄生电晶体的电流不易横向地流往寄生的npn电晶体，而流向Heavily doped substrate。因为底材接地，寄生pnp与npn的闭锁(Latch up)现象可被抑制，但相对使用Epi-Wafer会提高成本。

外延生长的过程

气相外延生长常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中。此外，也有采用红外辐照加热的。为了制备优质的外延层，必须保证原料的纯度。

首先，根据需要实现的工艺结果对硅片进行预处理，包括去除表面的自然氧化层及硅片表面的杂质，对于重搀杂衬底硅片则必须考虑是否需要背封(backseal)以减少后续外延生长过程中的自搀杂。

为了克服外延工艺中的某些缺点，外延生长工艺已有很多新的进展。

碳化硅外延晶片的概念是什么?

1、碳化硅是继第一代硅、锗和第二代砷化镓、磷化铟之后，当前国际上最先进的第三代新型半导体材料之一，具有禁带宽度大、临界场强高、热导率高等特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想材料。

2、硅外延和碳化硅外延的区别：意思不同。硅外延，在适合的晶体底层上的单个晶体半导体薄膜的生长就是外延生长。碳化硅外延，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。

3、碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。

4、外延片：外延片指的是在一块加热至适当温度的衬底基片上，所生长出来的特定单晶薄膜。芯片：芯片是一种固态的半导体器件。整个芯片被环氧树脂封装起来。

硅外延和碳化硅外延的区别

1、碳化硅外延过程和硅基本上差不多，在温度设计以及设备的结构设计不太一样。在器件制备方面，由于材料的特殊性，器件过程的加工和硅不同的是，采用了高温的工艺，包括高温离子注入、高温氧化以及高温退火工艺。

2、碳化硅是继第一代硅、锗和第二代砷化镓、磷化铟之后，当前国际上最先进的第三代新型半导体材料之一，具有禁带宽度大、临界场强高、热导率高等特性，是制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想材料。

3、碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。

晶体生长技术的外延

，分子束外延 分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。

分析检测方法是，外延就是在一定的条件下，在一块经过仔细制备的单晶衬底片上，沿其原来的结晶轴方向，生长一层导电类型、电阻率、厚度及晶格结构完整性都满足要求的新单晶层称为外延层。

⑤异质外延：衬底与外延层不是同一种物质，但晶格和热膨胀系数比较匹配。这样就能在一个衬底上外延生长出不同的晶膜，如在蓝宝石或尖晶石衬底上外延生长硅单晶。⑥分子束外延：这是一种最新的晶体生长技术（图2）。

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